Beschreibung
Transistor-Typ NPN
Strom – Kollektor (Ic) (max.) 800mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 700 mV bei 50 mA, 500 mA
Strom – Kollektorrest (Ic) (max.) 100 nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 bei 100 mA, 1 V
Leistung – max. 625mW
Frequenz – Übergang 100 MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchführungsloch
Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (geformte Anschlüsse)
